IBM, Samsung компаниудын шинэ технологи гар утасны батарейг долоо хоног ажиллуулдаг болгоно

IBM, Samsung компаниуд өчигдөр өөрсдийн хамтран боловсруулсан хагас дамжуулагчийн шинэ дизайныг танилцуулжээ.

Энэ нь транзисторуудыг хагас дамжуулагч чип дээр босоо чиглэлд давхарлан байрлуулах технологи юм. Өнөөдрийн уламжлалт технологиор бол транзисторуудыг хавтгай гадарга дээр хэвтээ чиглэлд өрдөг.

Одоогийн FinFET (Fin Field Effect Transistor) дизайныг шинэ VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) дизайнаар сольсноор хагас дамжуулагч чипний бага орон зайд илүү олон транзисторыг багтаах боломжтой болно.

Хоёр компанийн боловсруулан дизайныг хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд нэвтрүүлснээр чипний хүчин чадал өмнөхөөсөө хоёр дахин нэмэгдэх бол эрчим хүчний хэрэглээ нь 85 хувиар буурах ажээ.
Өөрөөр хэлбэл гар утасны батарей бүрэн цэнэгээр нэг өдөр ажилладаг бол шинэ чиптэй болсноор долоо хоног ажилладаг болох гэнэ.

Бас криптовалют олборлох, өгөгдөл кодчилох зэрэг хүнд хэцүү үйлдлүүдийг бага эрчим хүчээр гүйцэтгэдэг болох юм байна.

Ер нь хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд босоо дизайн ашиглах хандлага өнөөдөр ид яригдаж байгаа. Тухайлбал хагас дамжуулагчийн томоохон үйлдвэрлэгч Intel компани бас ирээдүйн хөгжүүлэлтээ энэ чиглэлд хандуулахаар болсноо зарлаад байна.

Эх сурвалж: The Verge