• 7 сарын 2, Бямба
Уншиж байна ...

Самсунг 3 nm-ийн хагас дамжуулагчийг ирэх долоо хоногоос бөөнөөр үйлдвэрлэж эхэлнэ

Р.Түвшин, iKon.mn
2022 оны 6 сарын 23
iKon.MN
Зураг зураг

Өмнөд Солонгосын Самсунг Электроникс компани 3 нанометрийн хагас дамжуулагч эд ангийн бөөний үйлдвэрлэлийг ирэх долоо хоногт эхлүүлэх төлөвлөгөөтэй байгааг салбарын эх сурвалж өчигдөр мэдээлжээ.

Шинэ үеийн 3 nm-ийн чип нь Gate-All-Around (GAA) технологийг ашигладаг бөгөөд одоо ашиглагдаж буй FinFET технологитой харьцуулахад орон зайг 45 хүртэл хувиар багасгаж, хурд хүчийг 30 хувиар өсгөж, эрчим хүчний хэрэглээг 50 хувиар бууруулдаг юм.

Өнгөрсөн сард АНУ-ын ерөнхийлөгч Жо Байден айлчлалынхаа үеэр Сөүл хотоос 70 км зайтай оршдог Самсунгийн Пёнтэк цогцолборт зочлохдоо 3 nm-ийн хагас дамжуулагч чиптэй танилцаж байжээ.

Самсунгийн гол өрсөлдөгч, дэлхийн хамгийн том гэрээт үйлдвэрлэгч Тайванийн TSMC компани 3 nm-ийн хагас дамжуулагчийг энэ оны хоёрдугаар хагаст бөөнөөр үйлдвэрлэж эхлэх төлөвлөгөөтэй байгаа.

Хэрвээ ирэх долоо хоногт үйлдвэрлэлээ эхэлж чадвал Самсунг өрсөлдөгчөөсөө нэг алхмаар түрүүлэх юм.

Дэлхийн хамгийн том санах ой үйлдвэрлэгч Самсунг компани бас 2 nm-ийн хагас дамжуулагч бүтээх төсөл хэрэгжүүлж эхлээд байгаа ба 2025 онд бөөнөөр үйлдвэрлэж эхлэх төлөвлөгөөтэй байна.

 

Эх сурвалж: Yonhap News